Формирование треков в кристаллах высокоэнергетическими ионными пучками
Комаров Ф.Ф.
Рассматривается влияние высокоэнергетического ионного облучения кристаллов на формирование скрытых треков. Релаксация сильных электронных возбуждений, которые создаются при облучении материалов быстрымиионами, является главным параметром, определяющим природу трековых областей. Обсуждаются возможные применения треков в наноэлектронике и других сферах промышленного производства
Litres
غواړئ کتاب پلورنځي ته اضافه وکړئ؟ مونږ سره د support@z-lib.do له لارې اړیکه ونیسئ
File converter
د لټون نورې نبیجې
More benefits 
مهمي جملي
د کتابونو مرتبط لیسټونه
